STF10N60M2分離した半導体、600V TO-220FP MOSFET N-CH
商品の詳細:
モデル番号: | STF10N60M2 |
お支払配送条件:
パッケージの詳細: | テープ&リール(TR) |
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受渡し時間: | 1〜2営業日 |
支払条件: | D/A、T/T、ウェスタン・ユニオン |
詳細情報 |
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流出させなさいに源の電圧(Vdss): | 600V | 電力損失(最高): | 25W (Tc) |
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パッケージ/場合: | TO-220-3完全なパック | タイプの取付け: | 穴を通して |
包装: | 管 | 製造者装置パッケージ: | TO-220FP |
ハイライト: | STF10N60M2分離した半導体,600V MOSFET N-CH,TO-220FP MOSFET N-CH |
製品の説明
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Vgs ((最高) Th) @ ID: | 4V @ 250µA |
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): | 10V |
無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
詳細な説明: | N-Channel 600V 7.5A (穴TO-220FPを通したTc) 25W (Tc) |
湿気感受性のレベル(MSL): | 1 (無制限) |
FETのタイプ: | N-Channel |
シリーズ: | MDmesh™ IIのプラス |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 7.5A (Tc) |
他の名前: | 497-13945-5 STF10N60M2-ND |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: | 400pF @ 100V |
Vgs (最高): | ±25V |
(最高) @ ID、VgsのRds: | 600 mOhm @ 4A、10V |
技術: | MOSFET (金属酸化物) |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: | 13.5nC @ 10V |
実用温度: | -55°C | 150°C (TJ) |
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