• IPD082N10N3GATMA1集積回路IC MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPD082N10N3GATMA1集積回路IC MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

IPD082N10N3GATMA1集積回路IC MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

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モデル番号: IPD082N10N3GATMA1

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詳細情報

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 100v 消費電力 (最大): 125W (Tc)
パッケージ/場合: TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 タイプの取付け: 表面の台紙
包装: テープ&リール(TR) サプライヤー デバイス パッケージ: PG-TO252-3
Vgs(th) (最大) @ Id: 3.5V @ 75µA 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): 6V、10VWeは専門の電子部品のディストリビューターKSZ8895MQXCを供給し、KSZ8895MQXCのpirceおよび調達期間、https://www.henkochips.comを要求するた

製品の説明

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無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明: N-Channel 100V 80A (Tc)の125W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限)
FETのタイプ: N-Channel
シリーズ: OptiMOS™
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 80A (Tc)
他の名前: IPD082N10N3GATMA1-ND IPD082N10N3GATMA1TR SP001127824
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 3980pF @ 50V
Vgs (最高): ±20V
(最高) @ ID、VgsのRds: 8.2 mOhm @ 73A、10V
技術: MOSFET (金属酸化物)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
実用温度: -55°C | 175°C (TJ)

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