IPD082N10N3GATMA1集積回路IC MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
商品の詳細:
モデル番号: | IPD082N10N3GATMA1 |
お支払配送条件:
パッケージの詳細: | テープ&リール(TR) |
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受渡し時間: | 1〜2営業日 |
支払条件: | D/A、T/T、ウエスタンユニオン |
詳細情報 |
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ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): | 100v | 消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
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パッケージ/場合: | TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 | タイプの取付け: | 表面の台紙 |
包装: | テープ&リール(TR) | サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3 |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.5V @ 75µA | 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): | 6V、10VWeは専門の電子部品のディストリビューターKSZ8895MQXCを供給し、KSZ8895MQXCのpirceおよび調達期間、https://www.henkochips.comを要求するた |
製品の説明
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無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
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詳細な説明: | N-Channel 100V 80A (Tc)の125W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3 |
湿気感受性のレベル(MSL): | 1 (無制限) |
FETのタイプ: | N-Channel |
シリーズ: | OptiMOS™ |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 80A (Tc) |
他の名前: | IPD082N10N3GATMA1-ND IPD082N10N3GATMA1TR SP001127824 |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
Vgs (最高): | ±20V |
(最高) @ ID、VgsのRds: | 8.2 mOhm @ 73A、10V |
技術: | MOSFET (金属酸化物) |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
実用温度: | -55°C | 175°C (TJ) |
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