• STD86N3LH5 	集積回路IC MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STD86N3LH5 	集積回路IC MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

STD86N3LH5 集積回路IC MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

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モデル番号: STD86N3LH5

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詳細情報

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 30v 消費電力 (最大): 70W (TC)
パッケージ/場合: TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 タイプの取付け: 表面の台紙
包装: テープ&リール(TR) サプライヤー デバイス パッケージ: DPAK

製品の説明

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Vgs ((最高) Th) @ ID: 2.5V @ 250µA
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 5V、10V
無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明: N-Channel 30V 80A (Tc)の70W (Tc)表面の台紙DPAK
FETの特徴: -
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限)
FETのタイプ: N-Channel
シリーズ: 、AEC-Q101、STripFET™ V自動車
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 80A (Tc)
他の名前: 497-8890-2
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V
Vgs (最高): ±20V
(最高) @ ID、VgsのRds: 5 mOhm @ 40A、10V
技術: MOSFET (金属酸化物)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V
実用温度: 175°C (TJ)

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