• STD4NK60ZT4集積回路IC MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
STD4NK60ZT4集積回路IC MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

STD4NK60ZT4集積回路IC MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

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モデル番号: STD4NK60ZT4

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詳細情報

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 600V 消費電力 (最大): 70W (TC)
パッケージ/場合: TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 タイプの取付け: 表面の台紙
包装: テープ&リール(TR) サプライヤー デバイス パッケージ: DPAK

製品の説明

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Vgs ((最高) Th) @ ID: 4.5V @ 50µA
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 10V
無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明: N-Channel 600V 4A (Tc)の70W (Tc)表面の台紙DPAK
FETの特徴: -
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限)
FETのタイプ: N-Channel
シリーズ: SuperMESH™
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 4A (Tc)
他の名前: 497-5889-2 Q2161615 STD4NK60ZT4-ND
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V
Vgs (最高): ±30V
(最高) @ ID、VgsのRds: 2オーム@ 2A、10V
技術: MOSFET (金属酸化物)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
実用温度: 150°C (TJ)

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