• SSM6L36FE、LMの集積回路IC MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
SSM6L36FE、LMの集積回路IC MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

SSM6L36FE、LMの集積回路IC MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

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モデル番号: SSM6L36FE、LM

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詳細情報

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 20V パッケージ/場合: SOT-563、SOT-666
タイプの取付け: 表面の台紙 包装: カットテープ(CT)
サプライヤー デバイス パッケージ: ES6 (1.6x1.6) Vgs(th) (最大) @ Id: 1V @ 1mA

製品の説明

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無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明: Mosfetの配列NおよびP-Channel 20V 500mAの330mA 150mWの表面の台紙ES6 (1.6x1.6)
FETの特徴: 論理のレベルのゲート
パワー最高: 150mW
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限)
FETのタイプ: NおよびP-Channel
シリーズ: -
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 500mA、330mA
基礎部品番号: SSM6L36
他の名前: SSM6L36FE (TE85LF) CT SSM6L36FE (TE85LF) CT-ND SSM6L36FELMCT
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 46pF @ 10V
(最高) @ ID、VgsのRds: 630 mOhm @ 200mA、5V
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
実用温度: 150°C (TJ)

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