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SQJA20EP-T1_GE3集積回路IC MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
商品の詳細:
| モデル番号: | SQJA20EP-T1_GE3 |
お支払配送条件:
| パッケージの詳細: | テープ＆リール（TR） |
|---|---|
| 受渡し時間: | 1〜2営業日 |
| 支払条件: | D/A、T/T、ウエスタンユニオン |
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詳細情報 |
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| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): | 200V | 消費電力 (最大): | 68W (TC) |
|---|---|---|---|
| パッケージ/場合: | PowerPAK® SO-8 | タイプの取付け: | 表面の台紙 |
| 包装: | テープ＆リール（TR） | サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
製品の説明
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| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 7.5V、10V |
| 無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
| 詳細な説明: | N-Channel 200V 22.5A （Tc）の68W （Tc）表面の台紙PowerPAK® SO-8 |
| FETの特徴: | - |
| 湿気感受性のレベル（MSL）: | 1 （無制限） |
| FETのタイプ: | N-Channel |
| シリーズ: | 、AEC-Q101、TrenchFET®自動車 |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 22.5A （Tc） |
| 他の名前: | SQJA20EP-T1_GE3TR |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Vgs （最高）: | ±20V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 50 mOhm @ 10A、10V |
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| 実用温度: | -55°C | 175°C （TJ） |
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