SI4896DY-T1-E3集積回路IC MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
商品の詳細:
モデル番号: | SI4896DY-T1-E3 |
お支払配送条件:
パッケージの詳細: | テープ&リール(TR) |
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受渡し時間: | 1〜2営業日 |
支払条件: | D/A、T/T、ウエスタンユニオン |
詳細情報 |
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ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): | 80V | 消費電力 (最大): | 1.56W(タ) |
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パッケージ/場合: | 8-SOIC (0.154インチ、幅3.90mm) | タイプの取付け: | 表面の台紙 |
包装: | テープ&リール(TR) | サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
製品の説明
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Vgs ((最高) Th) @ ID: | 2V @ 250µA (分) |
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): | 6V、10V |
無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
詳細な説明: | N-Channel 80V 6.7A (Ta)の1.56W (Ta)表面の台紙8-SO |
FETの特徴: | - |
湿気感受性のレベル(MSL): | 1 (無制限) |
FETのタイプ: | N-Channel |
シリーズ: | TrenchFET® |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 6.7A (Ta) |
他の名前: | SI4896DY-T1-E3TR SI4896DYT1E3 |
Vgs (最高): | ±20V |
(最高) @ ID、VgsのRds: | 16.5のmOhm @ 10A、10V |
技術: | MOSFET (金属酸化物) |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
実用温度: | -55°C | 150°C (TJ) |
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