• SI4896DY-T1-E3集積回路IC MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
SI4896DY-T1-E3集積回路IC MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

SI4896DY-T1-E3集積回路IC MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

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モデル番号: SI4896DY-T1-E3

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詳細情報

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 80V 消費電力 (最大): 1.56W(タ)
パッケージ/場合: 8-SOIC (0.154インチ、幅3.90mm) タイプの取付け: 表面の台紙
包装: テープ&リール(TR) サプライヤー デバイス パッケージ: 8-SO

製品の説明

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Vgs ((最高) Th) @ ID: 2V @ 250µA (分)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 6V、10V
無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明: N-Channel 80V 6.7A (Ta)の1.56W (Ta)表面の台紙8-SO
FETの特徴: -
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限)
FETのタイプ: N-Channel
シリーズ: TrenchFET®
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 6.7A (Ta)
他の名前: SI4896DY-T1-E3TR SI4896DYT1E3
Vgs (最高): ±20V
(最高) @ ID、VgsのRds: 16.5のmOhm @ 10A、10V
技術: MOSFET (金属酸化物)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
実用温度: -55°C | 150°C (TJ)

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